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炉管式化学气相沉积Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)

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炉管式化学气相沉积Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)

北京三和联炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 属于热 CVD，采用高温驱动前驱体分解化合以及薄膜生长。三和联TFCVD系列机台为大面积二维(2D)材料生长研发的国产炉管式化学气相沉积机台，既可以实现连续性薄膜生长也可以实现原子层薄膜生长。国产品牌，值得信赖。
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       北京三和联炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 属于热 CVD，采用高温驱动前驱体分解化合以及薄膜生长。三和联TFCVD系列机台为大面积二维(2D)材料生长研发的国产炉管式化学气相沉积机台，既可以实现连续性薄膜生长也可以实现原子层薄膜生长。国产品牌，值得信赖。

北京三和联炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 属于热 CVD，采用高温驱动前驱体分解化合以及薄膜生长。三和联TFCVD系列机台为大面积二维(2D)材料生长研发的机台，既可以实现连续性薄膜生长也可以实现原子层薄膜生长。


     三和联炉管式化学气相沉积(TFCVD) 主要配置：


      1. 支持样品尺寸：6 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；

      2. 温区温度范围：室温 ~ 800 / 1000 / 1200 度 可选，控温精度 ± 3 ℃ @ > 200 ℃；

      3. 单/双层石英管设计；

      4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；

      5. 控压：0 ~ 10 Torr 可选，也可选择非控压模式配置；

      6. 工艺气体：H2，O2，N2，Ar；

      7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 300 sccm 范围内可选；

      8. 前驱源：可配置粉末/液态/固态前驱体源，最大8路，支持鼓泡/带载以及混合驱动前驱体源；

        9. 源控温范围可从 5 ~ 200 ℃ 定制；

      10. 可选配等离子体模块；

      11. 全自动一键式控制系统；


     炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 主要应用：


     1. 晶圆级WS2，MoS2 等2D材料生长；


     炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 实验结果：


三和联炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 实验结果

      炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 系列型号：


       SHL 100/150-TFCVD


     炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 设备Layout：

三和联TFCVD 机台 Layout


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