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炉管式化学气相沉积 Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)
炉管式化学气相沉积 Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)
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北京三和联炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 属于热 CVD，采用高温驱动前驱体分解化合以及薄膜生长。三和联TFCVD系列机台为大面积二维(2D)材料生长研发的机台，既可以实现连续性薄膜生长也可以实现原子层薄膜生长。
三和联炉管式化学气相沉积(TFCVD) 主要配置：
1. 支持样品尺寸：6 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；
2. 温区温度范围：室温 ~ 800 / 1000 / 1200 度 可选，控温精度 ± 3 ℃ @ > 200 ℃；
3. 单/双层石英管设计；
4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；
5. 控压：0 ~ 10 Torr 可选，也可选择非控压模式配置；
6. 工艺气体：H2，O2，N2，Ar；
7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 300 sccm 范围内可选；
8. 前驱源：可配置粉末/液态/固态前驱体源，最大8路，支持鼓泡/带载以及混合驱动前驱体源；
9. 源控温范围可从 5 ~ 200 ℃ 定制；
10. 可选配等离子体模块；
11. 全自动一键式控制系统；
炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 主要应用：
1. 晶圆级WS2，MoS2 等2D材料生长；
炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 实验结果：
炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 系列型号：
SHL 100/150-TFCVD
炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 设备Layout：
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