离子束刻蚀 Ion Beam Etching - (IBE)

     离子束刻蚀机台 (IBE) 主要配置：

       1. 支持样品尺寸：4 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；

      2. 离子源：离子能量 (50 ~ 1500) ± 2 V，离子通量 (100 ~ 1500) ± 2 mA，束流准直性 < ± 5°，束流不均匀性 < ± 2 %，500 h工艺稳定时间；

      3. 分子泵：高抽速分子泵；

      4. 前级泵：干泵；

      5. 工艺压力：0.01 ~ 10 Pa；

      6. 离子源可配置气体：Ar，O₂，N₂，He，H₂，辅助性气体可配置：O₂，CF₄，CHF₃，SF₆，N₂；

      7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 500 sccm 范围内可选；

      8. 样品控温：-30 ℃ ~ 室温；

      9. 样品台：0 ~ 50 rpm 旋转 / 0 ~ 90° 倾斜 / 低温，三维度功能共存；

      10. 刻蚀速度：1 ~ 100 nm/min；

      11. 刻蚀均匀性：± 5 %（@四英寸去除边缘效应）；

      12. 全自动一键式控制系统；

      13. 刻蚀材料：全材料；

     离子束刻蚀机台 (IBE) 相关应用：

       1. 芯片失效分析 (FA) 铜线去除；

      2. 磁学应用； 

      3. 物理刻蚀图形去层；

      4. 生物样片减薄；

     北京三和联自主研制的离子束刻蚀 (IBE) 系列产品

      离子束刻蚀是一种高精度、高效率的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、微机电系统（MEMS）、纳米技术等领域，是带能粒子溅射刻蚀。IBE通过调控离子束能量与通量，实现对材料的调控去除。该技术几乎可以实现对全材料的刻蚀，通过对工艺参数的调节，可以实现对多种材料等速同时去除；此外，加入特定的工艺气体，可以实现对材料的离子辅助反应刻蚀。

      三和联自主研制的离子束刻蚀 (IBE) 系列产品，采用射频离子源技术，具有极好的工艺稳定性与工艺重复性，适用于失效分析，金属刻蚀、此材料刻蚀等相关应用。