物理气相沉积机台 (PVD)

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物理气相沉积机台 (PVD)

三和联物理气相沉积机台基于磁增强等离子体离子物理轰击溅射材料实现薄膜生长,PVD为自主研机台,具有知识产权。适用于如金(Au),银(Ag),ITO,铝(Al),钨(W)等金属材料薄膜生长,以及氧化硅(SiO2)等介质类材料生长。本系列机台为多靶位机台,既可实现多元素材料的共溅射薄膜生长,又可实现反应薄膜生长。
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       北京三和联科技有限公司—物理气相沉积机台,基于磁增强等离子体离子物理轰击溅射材料实现薄膜生长,PVD为自主研机台,具有知识产权。适用于如金(Au),银(Ag),ITO,铝(Al),钨(W)等金属材料薄膜生长,以及氧化硅(SiO2)等介质类材料生长。本系列机台为多靶位机台,既可实现多元素材料的共溅射薄膜生长,又可实现反应薄膜生长。


 物理气相沉积机台 (PVD) 主要配置:

      1. 支持样品尺寸:4、6、8、12 英寸,兼容各种小尺寸样品,支持定制;

      2. RF等离子体功率范围:300W / 500W / 1000W /定制;

      4. 前级泵:机械油泵 / 干泵可选;

      5. 工艺气体:最多可同时配备 9 路工艺气体;

      6. 气体量程:根据用户应用需求配合系统设计确定,0 ~ 1000 sccm 范围内可选;

      7. 可拆卸式防污染内衬(可选);

      8. 全自动一键式控制系统;



     物理气相沉积机台(PVD) 相关应用:

      1. 金(Au),银(Ag),ITO,铝(Al),钨(W)等金属材料薄膜生长

      2. 氧化硅(SiO2)等介质类材料生长;

      3. 多元素材料的共溅射薄膜生长;

      4. 反应薄膜生长;


     物理气相沉积机台 (PVD) 适用材料:

      1. 金属材料:金(Au),银(Ag),ITO,铝(Al),钨(W)等……

      2. 介质材料:氧化硅(SiO2)等 ……


     该系列产品具有如下特点:

     1. 一体型机台,整机footprint为1000mm*1890mm;

     2. 基于工控机的控制方案,自主开发的全自动控制系统,可高度定制化;

     3. 机台配置灵活,可实现单靶材生长,多元素共溅射生长以及反应溅射生长;

     4. 模块化设计,维护与升级极其方便;

     5. 工艺性能优越稳定


    物理气相沉积机台 (PVD) 设备Layout:

 


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