Search

设备的“血液”——RIE工艺气体

产品知识 > 设备的“血液”——RIE工艺气体
    • 1

设备的“血液”——RIE工艺气体

设备的“血液”——RIE工艺气体
北京三和联科技有限公司反应离子刻蚀（RIE）设备支持H2、CH4、O2、N2、Ar、F6、CF4、CHF3、C4F8、NF3、Cl2、BCl3、HBr 9种工艺气体，可以根据客户的实际需求做定制化设计。工艺气体的选择是RIE工艺成功的关键​，直接影响刻蚀速率、选择性、各向异性和表面形貌。不同的刻蚀材料需要不同的气体组合：硅（Si）及硅化物： 最常用的是含氟气体，如四氟化碳（CF4）、六氟化硫（SF6），它们在高能等离子体下分解产生高活性的氟自由基（F*）。有时会加入氧气（O2）来调节刻蚀速率和选择性（抑制对光刻胶的刻蚀），或加入氩气（Ar）增强物理轰击成分，改善各向异性。硅的典型刻蚀速率可达每分钟400埃（Å/min）。
shared：

设备的“血液”——RIE工艺气体


北京三和联科技有限公司反应离子刻蚀（RIE）设备支持H2、CH4、O2、N2、Ar、F6、CF4、CHF3、C4F8、NF3、Cl2、BCl3、HBr 9种工艺气体，可以根据客户的实际需求做定制化设计。

工艺气体的选择是RIE工艺成功的关键，直接影响刻蚀速率、选择性、各向异性和表面形貌。不同的刻蚀材料需要不同的气体组合：
硅（Si）及硅化物： 最常用的是含氟气体，如四氟化碳（CF4）、六氟化硫（SF6），它们在高能等离子体下分解产生高活性的氟自由基（F*）。有时会加入氧气（O2）来调节刻蚀速率和选择性（抑制对光刻胶的刻蚀），或加入氩气（Ar）增强物理轰击成分，改善各向异性。硅的典型刻蚀速率可达每分钟400埃（Å/min）。

北京三和联科技有限公司反应离子刻蚀（RIE）设备

金属（如Al, Ti, W）

常使用含氯气体，如氯气（Cl2）、三氯化硼（BCl3）。BCl3还能帮助去除金属表面的氧化层。四氯化碳（CCl4） 也时有应用。

介质（如SiO2, Si3N4）

通常使用含氟气体（如CF4、SF6、CHF3）。CHF3有助于在侧壁形成聚合物钝化层，提高各向异性和选择性。

光刻胶去除/灰化（Ashing）

主要使用**氧气（O2）**等离子体。

气体通过“淋浴头”式的精密分配系统均匀地引入反应腔体，确保刻蚀的均匀性。



反应离子刻蚀（RIE）设备的演进之路

北京三和联多年以来专注于反应等离子体刻蚀机（RIE）国产化，中国离子束刻蚀机（IBE）品牌、市场开拓，自主研发国产刻蚀设备以及干法刻蚀设备国产品牌等方面的研发与生产，在反应离子刻蚀国产化及扩展中国离子刻蚀设备市场方面发挥着重要作用。 反应离子刻蚀是通过等离子工艺从表面去除材料。由于传统的蚀刻工艺采用湿化学方法，并使用腐蚀性酸，因此它也被称为干法蚀刻。工艺气体的等离子体将待蚀刻材料的聚集状态从固态转变为气态，然后真空泵抽取气态产物。

国产刻蚀设备的崛起：替代浪潮背后的动力

北京三和联科技在刻蚀设备国产化的浪潮中坚持自主研发，为拓展国产刻蚀设备市场积极奉献自己的力量。作为国产刻蚀设备厂商，北京三和联科技有限公司重点研发项目包括：国产二维电子薄膜材料刻蚀设备、国产二维材料刻蚀设备、国产干法刻蚀设备、国产硅基材料刻蚀设备、国产金属化合物刻蚀设备​等，在国产刻蚀设备的国际市场开拓、代替垄断品牌、降低国际价格及创建国产刻蚀设备品牌方面发挥了重要作用。 国产刻蚀设备的强势崛起，并非偶然，其背后有着强大的驱动力支撑： 国产替代的迫切需求： 保障产业链安全、实现核心技术自主可控已成为国家战略和产业共识。巨大的国内市场为国产设备提供了宝贵的验证和迭代空间。统计显示，中国芯片自给率已从2018年的约16%显著提升至2024年的30%左右，国产设备功不可没。

反应离子刻蚀（RIE）的核心原理——化学与物理的共鸣

北京三和联公司是中国国产反应离子刻蚀（RIE）设备厂商之一，多年来坚持自主研发，产品包括炉管式化学气相沉积、电容耦合等离子体增强化学气相沉积及物理气相沉积机台等领域，为我国RIE反应离子刻蚀设备品牌国产化，打破国际垄断助力。 反应离子刻蚀（RIE）设备的核心在于利用低温等离子体在物理轰击和化学反应的双重作用下，对材料进行高度可控的去除。其工作过程精妙而复杂。 北京三和联科技有限公司生产的RIE反应离子刻蚀设备，RF功率源可满足0-300W/500W/1000可调，可根据实际情况自动匹配，最大支持12英寸样片的刻蚀，并且可以支持9种工艺气体，能够满足硅基材料，Ⅲ-Ⅴ材料，Ⅱ-Ⅵ材料，磁性材料，金属材料，有机材料刻蚀，打破国外企业的垄断，在国内各大学，研究所以及Fab厂均有设备在使用中，实现了越来越多刻蚀设备的国产化替代。

RIE刻蚀设备-从美国垄断到中国国产化的前期背景

欢迎访问北京三和联官网，三和联是一家国产化RIE刻蚀设备公司，是一家国内干法刻蚀设备厂商。我们的RIE设备型号可分为3个，针对失效分析的客户需求，研发了专用设备。三和联为国产化品牌刻蚀设备助力。 在芯片的运行着精密电路，离不开半导体制造中一道关键工序——刻蚀。其中，反应离子刻蚀（RIE）技术因其优异的精度和可控性，成为先进芯片制造的基石。 相当长的时间里，全球刻蚀设备市场笼罩在寡头垄断的阴影之下。凭借深厚的技术积累、先发优势和庞大的客户网络，Lam Research、东京电子（TEL）和应用材料（AMAT）构筑了难以撼动的壁垒，三家巨头瓜分了全球九成以上的市场份额。 北京三和联—自主研发、国产化刻蚀设备 北京三和联科技有限公司成立于2013年，创始人汪博士深感刻蚀设备国产化的重要性和紧迫度，同时抓住时代机遇，立足科研领域，开发出了自己的国产干法刻蚀设备

中国国产化RIE刻蚀设备的逆袭之路

​北京三和联一直致力于新型国产薄膜设备（LPCVD）的研发与国际市场份额开拓。作为国产刻蚀设备厂商，三和联在中国国产化RIE刻蚀设备的逆袭之路上艰苦创业，坚持自主研发，为中国国产半导体设备的发展做出了贡献。 面对巨头环伺与技术封锁，中国国产半导体设备产业的开启了艰辛而卓绝的自主研发征程。国产刻蚀设备，成为这场国产替代战役中最先取得突破的领域之一，书写了“破壁者”的传奇。 北京三和联科技有限公司在这样的国产化潮中，艰苦创业，坚持自主研发，专注于科研领域市场，面对高校、研究所、失效分析测试平台的特殊需求，推出专用的刻蚀设备，助力我国科研领域的进步。

现代RIE反应离子刻蚀设备构成，精密工程的结晶

北京三和联科技有限公司作为国内推动干法刻蚀设备国产化中重要的一份子，在干法刻蚀设备国产化替代的浪潮中不断开拓创新，打磨自身产品和品牌，为我国科研事业贡献力量。RIE反应离子刻蚀设备，以其独特的物理化学协同机制，实现了对半导体、MEMS、光电子器件等制造中多种材料的高精度、高各向异性图案化加工。从早期的探索到如今高度自动化和精密的现代设备，RIE技术不断突破着微纳加工的极限。每一次刻蚀速率的提升、每一个深宽比的突破、每一纳米线宽的控制，都离不开RIE设备核心技术的持续创新和工艺工程师的精湛技艺。它如同芯片制造领域的精密刻刀，在肉眼不可见的微观世界里，精准地雕刻着现代信息社会的基石。随着集成电路向更小节点和三维结构发展，RIE及其衍生技术将继续扮演无可替代的关键角色。
Previous： 现代RIE反应离子刻蚀设备构成，精密工程的结晶
Next： 反应离子刻蚀（RIE）的核心原理——化学与物理的共鸣
Return
TOP
18910215538