干法蚀刻—工艺参数对 ICP感应耦合等离子体刻蚀机台蚀刻的影响与优化
三和联电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统可提供高密度等离子体解决方案,以满足研究和生产环境的独特工艺要求。我们的紧凑型系统设计可靠耐用,可对多种材料进行精确蚀刻,包括 III-V 族化合物半导体(GaN、GaAs、InP)、硅、SiC、石英、玻璃、电介质和金属。电感耦合等离子刻蚀机 (ICP) 是一种用于微加工的干法刻蚀系统。该系统利用化学反应等离子体去除晶圆上沉积的材料。等离子体由电磁场在低压(真空)下产生。等离子体中的高能离子会攻击晶圆表面并与其发生反应。