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干法刻蚀
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离子束刻蚀 Ion Beam Etching - (IBE)
北京三和联科技有限公司——支持样品尺寸:4 英寸向下兼容,兼容各种小尺寸样品。
感应耦合等离子体刻蚀机台 Inductive Coupled Plasma (ICP)
北京三和联自主研制的高密度感应耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)系列产品,基于感应耦合等离子体技术,面向精细化蚀刻以及化合物半导体蚀刻需求。具有极好的工艺稳定性与工艺重复性,适用于硅半导体,光电子,信息与通讯,功率器件以及微波器件等方面的应用。
反应离子刻蚀机台 Reactive Ion Etching (RIE)
北京三和联科技有限公司自主研制的反应离子刻蚀机(RIE)系列产品基于平板式容式耦合等离子体技术,适用于硅类材料如单晶硅,多晶硅,氮化硅(SiNx),氧化硅(SiO2),石英(Quartz)以及碳化硅(SiC)等材料的图案化蚀刻
桌面型等离子体刻蚀机 Compact - RIE Etcher (SV-RIE)
北京三和联桌面型等离子体刻蚀机系列产品基于容性耦合等离子体技术,为自主研发机台,具有知识产权。适用于光刻胶/有机物去除、四族材料快速刻蚀、芯片失效分析去层/背硅刻蚀/开盖等应用。