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离子束刻蚀Ion Beam Etching - (IBE)
北京三和联科技有限公司——国产自主研发离子束刻蚀机台;支持样品尺寸:4英寸向下兼容,兼容各种小尺寸样品。
感应耦合等离子体刻蚀机台 Inductive Coupled Plasma (ICP)
北京三和联自主研制的高密度国产感应耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)系列产品。基于感应耦合等离子体技术,面向精细化蚀刻以及化合物半导体蚀刻需求。具有极好的工艺稳定性与工艺重复性,适用于硅半导体,光电子,信息与通讯,功率器件以及微波器件等方面的应用。
反应离子刻蚀机台 Reactive Ion Etching (RIE)
北京三和联科技有限公司自主研制的反应离子刻蚀机(RIE)系列产品基于平板式容式耦合等离子体技术,国产反应离子刻蚀机适用于硅类材料如单晶硅,多晶硅,氮化硅(SiNx),氧化硅(SiO2),石英(Quartz)以及碳化硅(SiC)等材料的图案化蚀刻
桌面型等离子体刻蚀机 Compact - RIE Etcher (SV-RIE)
北京三和联桌面型等离子体刻蚀机系列产品基于容性耦合等离子体技术,为自主研发机台,具有知识产权的国产桌面型等离子体刻蚀机。适用于光刻胶/有机物去除、四族材料快速刻蚀、芯片失效分析去层/背硅刻蚀/开盖等应用。
物理气相沉积机台(PVD)
三和联物理气相沉积机台基于磁增强等离子体离子物理轰击溅射材料实现薄膜生长,PVD为自主研机台,是具有知识产权的国产物理气相沉积机台,在国内物理气相沉积机台中属于优质产品。适用于如金(Au),银(Ag),ITO,铝(Al),钨(W)等金属材料薄膜生长,以及氧化硅(SiO2)等介质类材料生长。本系列机台为多靶位机台,既可实现多元素材料的共溅射薄膜生长,又可实现反应薄膜生长。
炉管式化学气相沉积Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)
北京三和联炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 属于热 CVD,采用高温驱动前驱体分解化合以及薄膜生长。三和联TFCVD系列机台为大面积二维(2D)材料生长研发的国产炉管式化学气相沉积机台,既可以实现连续性薄膜生长也可以实现原子层薄膜生长。国产品牌,值得信赖。
电容耦合等离子体增强化学气相沉积Capacitivitily Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - (CCP-CVD)
北京三和联科技有限公司研发的电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台 (CCPCVD) 基于平板式等离子体技术,为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术的一种,属于国内优质电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台。CCPCVD采用射频功率源产生等离子体,分解离化反应气体,生成具有活性的基团,这些基团生成薄膜前驱体,并化学吸附到样片表面,生成固态膜晶核,最终以岛状生长成连续薄膜。国产品牌,值得信赖。
等离子体预处理/清洗机 Plasma Treatment/Cleaner
北京三和联科技有限公司等离子体预处理/清洗机属于自主研发的国产等离子体预处理/清洗机,国内优质等离子体预处理/清洗机。主要配置:支持样品尺寸:6英寸向下兼容,可多片同时处理;RF射频功率:0 ~ 300 / 500 W,自动匹配;
冷水机Chiller
三和联冷水机(Chiller)系列产品属于三和联自主研发的国内优质冷水机。具有如下特点:1.一体型机台,全封闭制冷系统;2.数字显示及控制,控温精度高,温度均匀...国产品牌,值得信赖。
离子束刻蚀Ion Beam Etching - (IBE)
北京三和联科技有限公司——国产自主研发离子束刻蚀机台;支持样品尺寸:4英寸向下兼容,兼容各种小尺寸样品。
2025-06-12
感应耦合等离子体刻蚀机台 Inductive Coupled Plasma (ICP)
北京三和联自主研制的高密度国产感应耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)系列产品。基于感应耦合等离子体技术,面向精细化蚀刻以及化合物半导体蚀刻需求。具有极好的工艺稳定性与工艺重复性,适用于硅半导体,光电子,信息与通讯,功率器件以及微波器件等方面的应用。
2025-06-12
反应离子刻蚀机台 Reactive Ion Etching (RIE)
北京三和联科技有限公司自主研制的反应离子刻蚀机(RIE)系列产品基于平板式容式耦合等离子体技术,国产反应离子刻蚀机适用于硅类材料如单晶硅,多晶硅,氮化硅(SiNx),氧化硅(SiO2),石英(Quartz)以及碳化硅(SiC)等材料的图案化蚀刻
2025-06-12
桌面型等离子体刻蚀机 Compact - RIE Etcher (SV-RIE)
北京三和联桌面型等离子体刻蚀机系列产品基于容性耦合等离子体技术,为自主研发机台,具有知识产权的国产桌面型等离子体刻蚀机。适用于光刻胶/有机物去除、四族材料快速刻蚀、芯片失效分析去层/背硅刻蚀/开盖等应用。
2025-06-12
物理气相沉积机台(PVD)
三和联物理气相沉积机台基于磁增强等离子体离子物理轰击溅射材料实现薄膜生长,PVD为自主研机台,是具有知识产权的国产物理气相沉积机台,在国内物理气相沉积机台中属于优质产品。适用于如金(Au),银(Ag),ITO,铝(Al),钨(W)等金属材料薄膜生长,以及氧化硅(SiO2)等介质类材料生长。本系列机台为多靶位机台,既可实现多元素材料的共溅射薄膜生长,又可实现反应薄膜生长。
2025-06-12
炉管式化学气相沉积Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)
北京三和联炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 属于热 CVD,采用高温驱动前驱体分解化合以及薄膜生长。三和联TFCVD系列机台为大面积二维(2D)材料生长研发的国产炉管式化学气相沉积机台,既可以实现连续性薄膜生长也可以实现原子层薄膜生长。国产品牌,值得信赖。
2025-06-12
电容耦合等离子体增强化学气相沉积Capacitivitily Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - (CCP-CVD)
北京三和联科技有限公司研发的电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台 (CCPCVD) 基于平板式等离子体技术,为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术的一种,属于国内优质电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台。CCPCVD采用射频功率源产生等离子体,分解离化反应气体,生成具有活性的基团,这些基团生成薄膜前驱体,并化学吸附到样片表面,生成固态膜晶核,最终以岛状生长成连续薄膜。国产品牌,值得信赖。
2025-06-12
等离子体预处理/清洗机 Plasma Treatment/Cleaner
北京三和联科技有限公司等离子体预处理/清洗机属于自主研发的国产等离子体预处理/清洗机,国内优质等离子体预处理/清洗机。主要配置:支持样品尺寸:6英寸向下兼容,可多片同时处理;RF射频功率:0 ~ 300 / 500 W,自动匹配;
2025-06-12
冷水机Chiller
三和联冷水机(Chiller)系列产品属于三和联自主研发的国内优质冷水机。具有如下特点:1.一体型机台,全封闭制冷系统;2.数字显示及控制,控温精度高,温度均匀...国产品牌,值得信赖。
2025-06-12