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  • 离子束刻蚀 Ion Beam Etching - (IBE)

    北京三和联科技有限公司——支持样品尺寸：4 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品。
    2025-06-12

  • 感应耦合等离子体刻蚀机台 Inductive Coupled Plasma (ICP)

    北京三和联自主研制的高密度感应耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)系列产品，基于感应耦合等离子体技术，面向精细化蚀刻以及化合物半导体蚀刻需求。具有极好的工艺稳定性与工艺重复性，适用于硅半导体，光电子，信息与通讯，功率器件以及微波器件等方面的应用。
    2025-06-12

  • 反应离子刻蚀机台 Reactive Ion Etching (RIE)

    北京三和联科技有限公司自主研制的反应离子刻蚀机(RIE)系列产品基于平板式容式耦合等离子体技术，适用于硅类材料如单晶硅，多晶硅，氮化硅（SiNx），氧化硅（SiO2），石英(Quartz)以及碳化硅（SiC）等材料的图案化蚀刻
    2025-06-12

  • 桌面型等离子体刻蚀机 Compact - RIE Etcher (SV-RIE)

    北京三和联桌面型等离子体刻蚀机系列产品基于容性耦合等离子体技术，为自主研发机台，具有知识产权。适用于光刻胶/有机物去除、四族材料快速刻蚀、芯片失效分析去层/背硅刻蚀/开盖等应用。
    2025-06-12

  • 物理气相沉积机台 (PVD)

    三和联物理气相沉积机台基于磁增强等离子体离子物理轰击溅射材料实现薄膜生长，PVD为自主研机台，具有知识产权。适用于如金(Au),银(Ag),ITO,铝(Al),钨(W)等金属材料薄膜生长，以及氧化硅(SiO2)等介质类材料生长。本系列机台为多靶位机台，既可实现多元素材料的共溅射薄膜生长，又可实现反应薄膜生长。
    2025-06-12

  • 炉管式化学气相沉积 Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)

    2025-06-12

  • 电容耦合等离子体增强化学气相沉积 Capacitivitily Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - (CCP-CVD)

    北京三和联科技有限公司研发的电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台 (CCPCVD) 基于平板式等离子体技术，为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术的一种。CCPCVD采用射频功率源产生等离子体，分解离化反应气体，生成具有活性的基团，这些基团生成薄膜前驱体，并化学吸附到样片表面，生成固态膜晶核，最终以岛状生长成连续薄膜。
    2025-06-12

  • 等离子体预处理/清洗机 Plasma Treatment/Cleaner

    北京三和联科技有限公司清洗机主要配置：支持样品尺寸：6英寸向下兼容，可多片同时处理；RF射频功率：0 ~ 300 / 500 W，自动匹配；
    2025-06-12

  • 冷水机 Chiller

    三和联冷水机（Chiller）系列产品具有如下特点：1.一体型机台，全封闭制冷系统；2.数字显示及控制，控温精度高，温度均匀；3.实时显示工作状态和报警状态；4.封闭式水箱和管路结构，避免冷却液污染和氧化，维护与升级极其...
    2025-06-12