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北京三和联科技有限公司面向研究所高校及创新型公司提供高端微纳材料加工设备。公司基于在真空、材料以及半导体设备方面的技术累计，向客户提供先进材料刻蚀、生长与表面处理设备及服务，提高客户技术水平、生产效率与竞争力；产品涵盖硅基材料、化合物半导体材料、以及二维薄膜材料应用方向。10人技术团队，均拥有十年以上的半导体/真空/等离子方面的从业经验。
已搭建微纳工艺demo实验平台，包括：材料表面等离子体改性机台、RIE刻蚀机台、ICP刻蚀机台、PECVD化学气相沉积机台、PVD物理气相沉积机台以及IBE离子束刻蚀机台，其中核心工艺机台全部自研生产。
产品中心
三和联主营产品
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离子束刻蚀Ion Beam Etching - (IBE)
北京三和联科技有限公司——国产自主研发离子束刻蚀机台；支持样品尺寸：4英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品。
感应耦合等离子体刻蚀机台 Inductive Coupled Plasma (ICP)
北京三和联自主研制的高密度国产感应耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)系列产品。基于感应耦合等离子体技术，面向精细化蚀刻以及化合物半导体蚀刻需求。具有极好的工艺稳定性与工艺重复性，适用于硅半导体，光电子，信息与通讯，功率器件以及微波器件等方面的应用。
反应离子刻蚀机台 Reactive Ion Etching (RIE)
北京三和联科技有限公司自主研制的反应离子刻蚀机(RIE)系列产品基于平板式容式耦合等离子体技术，国产反应离子刻蚀机适用于硅类材料如单晶硅，多晶硅，氮化硅（SiNx），氧化硅（SiO2），石英(Quartz)以及碳化硅（SiC）等材料的图案化蚀刻
桌面型等离子体刻蚀机 Compact - RIE Etcher (SV-RIE)
北京三和联桌面型等离子体刻蚀机系列产品基于容性耦合等离子体技术，为自主研发机台，具有知识产权的国产桌面型等离子体刻蚀机。适用于光刻胶/有机物去除、四族材料快速刻蚀、芯片失效分析去层/背硅刻蚀/开盖等应用。
物理气相沉积机台(PVD)
三和联物理气相沉积机台基于磁增强等离子体离子物理轰击溅射材料实现薄膜生长，PVD为自主研机台，是具有知识产权的国产物理气相沉积机台，在国内物理气相沉积机台中属于优质产品。适用于如金(Au),银(Ag),ITO,铝(Al),钨(W)等金属材料薄膜生长，以及氧化硅(SiO2)等介质类材料生长。本系列机台为多靶位机台，既可实现多元素材料的共溅射薄膜生长，又可实现反应薄膜生长。
炉管式化学气相沉积Furnance Tube Chemical Vapor Deposition - (TFCVD)
北京三和联炉管式化学气相沉积机台 (TFCVD) 属于热 CVD，采用高温驱动前驱体分解化合以及薄膜生长。三和联TFCVD系列机台为大面积二维(2D)材料生长研发的国产炉管式化学气相沉积机台，既可以实现连续性薄膜生长也可以实现原子层薄膜生长。国产品牌，值得信赖。
电容耦合等离子体增强化学气相沉积Capacitivitily Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - (CCP-CVD)
北京三和联科技有限公司研发的电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台 (CCPCVD) 基于平板式等离子体技术，为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术的一种，属于国内优质电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台。CCPCVD采用射频功率源产生等离子体，分解离化反应气体，生成具有活性的基团，这些基团生成薄膜前驱体，并化学吸附到样片表面，生成固态膜晶核，最终以岛状生长成连续薄膜。国产品牌，值得信赖。
等离子体预处理/清洗机 Plasma Treatment/Cleaner
北京三和联科技有限公司等离子体预处理/清洗机属于自主研发的国产等离子体预处理/清洗机，国内优质等离子体预处理/清洗机。主要配置：支持样品尺寸：6英寸向下兼容，可多片同时处理；RF射频功率：0 ~ 300 / 500 W，自动匹配；
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NEWS- Aug202504三和联电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统可提供高密度等离子体解决方案，以满足研究和生产环境的独特工艺要求。我们的紧凑型系统设计可靠耐用，可对多种材料进行精确蚀刻，包括 III-V 族化合物半导体（GaN、GaAs、InP）、硅、SiC、石英、玻璃、电介质和金属。电感耦合等离子刻蚀机 (ICP) 是一种用于微加工的干法刻蚀系统。该系统利用化学反应等离子体去除晶圆上沉积的材料。等离子体由电磁场在低压（真空）下产生。等离子体中的高能离子会攻击晶圆表面并与其发生反应。
- Aug202502北京三和联科技有限公司自主研发的国产ICP感应耦合等离子体刻蚀机台，经过长期工艺验证和客户现场实际应用，积累了大量有效工艺参数和经验。三和联公司创国产ICP（感应耦合等离子体刻蚀机台）品牌，为国内感应耦合等离子体刻蚀机台蚀刻助力！
- Jul202531sad三和联自主研发的感应耦合等离子体刻蚀机台可实现碳化硅（SiC）的高效精准刻蚀，且对多种材料均可刻蚀，在国内ICP（感应耦合等离子体刻蚀机台）中属于优质设备。
- Jul202529北京三和联科技有限公司是一家自主研发的国产ICP感应耦合等离子体刻蚀机台的厂家。经过长期工艺验证和客户现场实际应用，在国内积和国际累了大量有效工艺参数和经验，不仅能够实现碳化硅（SiC）的高效精准刻蚀，其他硅基材料，Ⅲ-Ⅴ材料，Ⅱ-Ⅵ材料，磁性材料，金属材料，有机材料均可刻蚀，并可实现硅深刻蚀。
- Jun202529一个强大的团队不是偶然形成的——它是通过有意义的经历建立起来的，这些经历激发了协作、创造性思维和信任。 2025年6月28日，北京三和联科技有限公司团队一起尝试的最独特的团队建设活动。炎炎夏日三和联体验提升到一个新的水平。北京三和联科技有限公司
- Jun202526北京三和联科技有限公司为您简单讲解材料蚀刻：利用广泛使用的酸的腐蚀性的材料加工。蚀刻在古代用于印刷和铜板雕刻，今天仍然是印刷电路板和半导体制造的核心技术。本节介绍了蚀刻的原理和类型，并解释了它与清洁过程的关系以及进行蚀刻时需要注意的事项。 蚀刻在古代被用于印刷和铜雕刻，即使在今天，它也作为印刷电路板和半导体制造的关键技术发挥着积极作用。本文阐述了蚀刻的原理和类型，并讨论了其与清洁操作的关系，以及进行蚀刻时必须注意的事项。 有一种加工材料的方法被称为“蚀刻”。北京三和联蚀刻是一种利用酸、碱和离子特性的化学加工方法，似乎并不广为人知。蚀刻是一种非常常用于眼睛无法察觉的地方的技术。在这里，我们将讨论蚀刻的原理、蚀刻的类型和受蚀刻的材料。
- Jun202503北京三和联科技有限公司自主研制的离子束刻蚀 (IBE) 系列产品，采用射频离子源技术，具有极好的工艺稳定性与工艺重复性，适用于失效分析，金属刻蚀、磁材料刻蚀等相关应用。国产离子束刻蚀设备，值得信赖。
- Feb2025051.半导体制造 离子束刻蚀是半导体制造中最重要的工艺之一，用于制造微处理器、存储器、传感器等器件。 2.光电子学 离子束刻蚀可用于制造光学元件，如光栅、衍射光栅、光波导等
- Mar202414北京三和联科技有限公司专业从事半导体设备系列产品研发、生产、销售与售后服务，行业经验超过15年。面对中国高端工业的迅猛发展，工业体系对于半导体设备方面的要求越来越高。物理气相沉积机台（PVD）是三和联公司系列产品中的重要产品，随着客户对于物理气相沉积机台精准度要求的提高，近年来北京三和联公司研发部对物理气相沉积机台（PVD）的投资逐步加大。
- Feb202109北京三和联科技有限公司专注于半导体设备系列产品研发、生产与销售。三和联自主研发多种半导体系列产品，国产品牌，值得信赖。经过多年经营与发展，在国内市场已取得巨大成就，为我国的高端工业发展和芯片制作产业进步提供了巨大帮助。多年来，三和联与国内多家高科技企业及科研机构长期合作，促进了半导体设备的进步。
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