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  • 在北京海淀区这片创新热土上,北京三和联科技有限公司正以其前沿的自主研发实力,为中国半导体产业的自主可控注入强劲动能。作为一家迅速崛起的国内等离子体刻蚀设备品牌,三和联科技打破了高端工艺设备长期依赖进口的桎梏,成为国产等离子体刻蚀设备厂商中一股不容忽视的攻坚力量。
  • 物理气相沉积与刻蚀设备(IBSD)设备的主要特点宽束离子源:将宽离子束指向靶材,以物理方式将粒子击落。成膜粒子:薄膜是由靶材喷射出的粒子形成的,也可能包含散落的初级粒子。基底:喷射出的颗粒沉积在基底上形成薄膜。
  • 国产物理气相沉积刻蚀设备厂家北京三和联研发的物理气相沉积与刻蚀设备采用离子束溅射与吸蚀技术,通过离子源产生高能离子束轰击靶材,实现高精度、高性能的薄膜生长。适用于金(Au)、银(Ag)、ITO、铝(Al)、钨(W)等金属薄膜,以及氧化硅(SiO₂)等介质薄膜的制备。同时具有多种材料的刻蚀工艺,本系列设备配备多靶位结构,既支持多元素材料的共溅射沉积和刻蚀工艺。
  • 反应离子刻蚀的应用:RIE 的应用范围广泛且多样,反映了它的多功能性:1、半导体制造:RIE 是集成电路 (IC) 生产的基础,它用于蚀刻晶体管栅极、通孔和其他组件。2、微机电系统 (MEMS):形成复杂、高纵横比结构的能力使 RIE 成为制造 MEMS 设备(如传感器和执行器)的理想选择。3、光子器件:RIE 用于创建光波导和其他光子结构,其中蚀刻表面的精度和光滑度至关重要。
  • 反应离子蚀刻具有几个显著的优势,使其成为微加工中不可或缺的一部分:1、精密度和准确度:RIE 可以精确控制刻蚀深度和轮廓,这对于创建纳米级特征至关重要。2、各向异性刻蚀:该工艺可以实现高度定向的刻蚀,这对于需要尖锐、垂直侧壁的应用至关重要。3、多功能性:RIE 与多种材料兼容,包括硅、二氧化硅、氮化硅以及各种金属和聚合物。
  • 反应离子刻蚀的核心是一种基于等离子体的刻蚀工艺。它使用具有化学反应性的等离子体去除基板上蚀刻的材料。该工艺首先将基板放置在真空室中,并通入 CF4、SF6 或 CCl4 等气体。这些气体的选择取决于基板的材料和所需的刻蚀特性。
  • 北京三和联自主研发的国产品牌电感耦合等离子体化学气相沉积是一种基于等离子体的沉积方法,用于在基材表面沉积材料。该等离子体由电感耦合等离子体 (ICP) 源中的射频发生器产生,与标准 PECVD 技术中使用的电容耦合等离子体 (CCP) 相比,其等离子体密度更高。
  • 北京三和联科技有限公司自主研发的等离子体预处理清洗机可实现更纯净的表面清洁。作为等离子清洗设备厂商,多年来三和联坚持国产等离子体预处理清洗机的研发与生产,顺应时代的要求,更进一步的完善等离子清洗方面在实际应用中的不足。在当今的制造工艺中,实现纯净的表面清洁对质量、耐用性和功能性至关重要。即使是微小的残留物也会破坏印刷、密封、粘接、喷漆或涂层等关键步骤的粘附性,从而危及产品的可靠性。
  • 北京三和联科技有限公司为您讲述一些最受欢迎的等离子蚀刻的主要类型。1、反应离子蚀刻(RIE)2、电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)3、深反应离子蚀刻(DRIE)4、等离子灰化