国产品牌 自主研发

北京三和联自主研发的国产品牌电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP) 是一种基于等离子体的沉积方法，用于在基材表面沉积材料。该等离子体由电感耦合等离子体 (ICP) 源中的射频发生器产生，与标准 PECVD 技术中使用的电容耦合等离子体 (CCP) 相比，其等离子体密度更高。工艺气体分解为离子和自由基，然后在基材表面沉积薄膜。由于等离子体密度较高，沉积过程可以在较低温度下进行（低至 100 °C），因此非常适合在聚合物等热敏基材上沉积。

电感耦合等离子体化学气相沉积的应用

ICPCVD 是一种常用的沉积高质量半导体和电介质的方法，适用于低功率和高功率半导体器件、光伏太阳能电池的有源层、金属绝缘体-金属 (MIM) 电容器、激光二极管、传感器、探测器、LED、薄膜晶体管等应用

• 消费电子产品

• 汽车行业

• 航空航天和国防

• 医疗保健和医疗器械

• 光学和光子学

• 储能

• 耐磨涂层

“SHL”国产品牌ICPCVD 技术参数

电容耦合等离子体增强化学气相沉积主要配置和功能：

1. 支持样品尺寸：12 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；

2. RF等离子体功率范围：300 / 500 / 1000 / 1500 W 可选；

3. 分子泵：620 l/s / 1300 l/s 可选，可选配防腐蚀型泵组；

4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；

5. 控压：0 ~ 1 Torr 可选；也可选择非控压模式配置；

6. 工艺气体：最多可同时配备 12 路工艺气体；

7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 300 sccm 范围内可选

8. 样品控温：室温 ~ 400 ℃；

9. 机台冷却：10 ℃；

10. 全自动一键式控制系统；

11. 主要沉积材料：SiO2、SiNx、α-Si；