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电容耦合等离子体增强化学气相沉积 Capacitivitily Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - (CCP-CVD)
电容耦合等离子体增强化学气相沉积 Capacitivitily Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - (CCP-CVD)
北京三和联科技有限公司研发的电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台 (CCPCVD) 基于平板式等离子体技术，为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术的一种。CCPCVD采用射频功率源产生等离子体，分解离化反应气体，生成具有活性的基团，这些基团生成薄膜前驱体，并化学吸附到样片表面，生成固态膜晶核，最终以岛状生长成连续薄膜。
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北京三和联科技有限公司研发的电容耦合等离子体增强化学气相沉积机台 (CCPCVD) 基于平板式等离子体技术，为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术的一种。CCPCVD采用射频功率源产生等离子体，分解离化反应气体，生成具有活性的基团，这些基团生成薄膜前驱体，并化学吸附到样片表面，生成固态膜晶核，最终以岛状生长成连续薄膜。
三和联电容耦合等离子体增强化学气相沉积主要配置和功能：
1. 支持样品尺寸：12 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；
2. RF等离子体功率范围：300 / 500 / 1000 / 1500 W 可选；
3. 分子泵：620 l/s / 1300 l/s 可选，可选配防腐蚀型泵组；
4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；
5. 控压：0 ~ 1 Torr 可选；也可选择非控压模式配置；
6. 工艺气体：最多可同时配备 12 路工艺气体；
7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 300 sccm 范围内可选；
8. 样品控温：室温 ~ 400 ℃；
9. 机台冷却：10 ℃；
10. 全自动一键式控制系统；
11. 主要沉积材料：SiO2、SiNx、α-Si；
系列型号：
SHL100/200/300C-CVD
电容耦合等离子体增强化学气相沉积（CVD）设备Layout：
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