ICP电感耦合等离子体刻蚀

【原则】

电感耦合等离子刻蚀（ICP Etching）是一种高效、高精度的干法刻蚀技术，通过电感耦合等离子体产生高密度等离子体，实现材料表面的精细刻蚀。北京三和联科技有限公司是一家自主研发国产电感耦合等离子体刻蚀设备厂家。经过长期工艺验证和客户现场实际应用，在国内和国际累了大量有效工艺参数和经验，并可实现硅深刻蚀。以下详细介绍ICP刻蚀：

电感耦合等离子刻蚀的原理是利用电感耦合等离子源（ICP源）产生高密度等离子体。该等离子体源在感应线圈中通过高频电磁场激发，形成高能电子，使反应气体电离，产生等离子体。等离子体中的高能离子在电场作用下被加速撞击待刻蚀材料表面，通过化学反应和物理溅射相结合的方式去除材料，实现刻蚀。

【处理能力】

材料：蚀刻Si、SiO2、Si3N4、SiC、Al、Ti、TiN、Cr、InP、GaAs、GaN、LiNbO3等薄膜材料。

【工艺流程】

1、准备：将待蚀刻的样品放入ICP蚀刻设备的真空室内进行清洗和预处理。

2、掩模版制作：利用光刻技术在样品表面制作保护掩模版，保护不需要蚀刻的区域。

3、气体通入：向腔室内通入反应气体（如氯气、氟气等），形成蚀刻气氛。

4、等离子体产生：利用高频电源在感应线圈中激发等离子体，形成高密度等离子体。

5、蚀刻过程：控制等离子体的密度、能量、气体流量和蚀刻时间对样品进行蚀刻。

6、去除掩模版：蚀刻完成后，去除保护掩模版，得到最终的图形结构。

【应用场景】

1. 半导体制造：在高密度集成电路、微处理器和存储器中制作精细图案。

2. 微机电系统（MEMS）：处理微传感器、执行器和微流体设备。

3. 光电子器件：制作光电二极管、激光器、光栅等光学元件。

4. 显示技术：用于TFT-LCD、OLED显示器的图案化。

【优点】

1、高各向异性蚀刻：具有优异的方向控制能力，可实现高深宽比结构。

2、高精度、高分辨率：适合纳米级加工，可达到极高的蚀刻精度。

3、高密度等离子：等离子密度高，蚀刻速率快，适合大批量生产。

4、工艺可控性强：通过精确控制等离子参数和气体流量，可以实现蚀刻过程的精确控制。

5、选择性好：可以选择性地刻蚀不同的材料，减少对掩模版和其他材料的损伤。

北京三和联科技创国产电容耦合等离子体增强化学气相沉积品牌，为国内干法刻蚀设备刻助力！

【可蚀刻的材料】

半导体材料：硅（Si）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等。

金属：铝（Al）、铜（Cu）、钛（Ti）等。

绝缘材料：二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、氧化铝（Al2O3）等。

聚合物：聚酰亚胺、聚对二甲苯等。

【蚀刻精度】

ICP刻蚀的精度主要取决于等离子体的密度、掩模版的分辨率以及刻蚀时间和工艺参数的控制，通常精度可以达到10纳米甚至更高，具体数值取决于实际的工艺条件和设备性能。

北京三和联科技有限公司是一家自主研发国产电感耦合等离子体刻蚀设备厂家。经过长期工艺验证和客户现场实际应用，在国内和国际累了大量有效工艺参数和经验，并可实现硅深刻蚀。北京三和联科技创国产电容耦合等离子体增强化学气相沉积品牌，为国内干法刻蚀设备刻助力！