失效分析及反向拍照中,受限于光学显微镜放大倍率,需要SEM观察。由于氧化硅厚度会出现穿透能力差及荷电效应,该效应会导致扫描电镜图像畸变、信号漂移、反向中看不清图形等。
用反应离子刻蚀机在通入氩气和HCF3,低功率刻蚀能保证很好的垂直性且留住通孔用于观察和反向拍照。