北京三和联科技有限公司自主研制的反应离子刻蚀机(RIE)系列产品基于平板式容式耦合等离子体技术，国产反应离子刻蚀机适用于硅类材料如单晶硅，多晶硅，氮化硅（SiNx），氧化硅（SiO2），石英(Quartz)以及碳化硅（SiC）等材料的图案化蚀刻，属于国内反应离子刻蚀机优质产品。

反应离子刻蚀（RIE）可用于制备微纳结构，是半导体制造工艺技术中的一种。RIE刻蚀过程中，等离子体中的各种活性粒子与材料表面形成挥发性产物。这些产物被从材料表面带走，最终实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。

北京三和联自主研制的反应离子刻蚀机(RIE)系列产品基于平板式容式耦合等离子体技术，适用于硅类材料如单晶硅，多晶硅，氮化硅（SiN_x），氧化硅（SiO₂），石英(Quartz)以及碳化硅（SiC）等材料的图案化蚀刻；可用于有机材料如光刻胶（PR），PMMA，HDMS等材料的图案化与材料去层蚀刻；可用于金属材料如镍(Ni)，铬(Cr)以及陶瓷材料的物理蚀刻；可用于常温磷化铟(InP)材料蚀刻。对于一些工艺要求较高的刻蚀也可以使用我们的ICPRIE刻蚀。

反应离子刻蚀机台 (RIE) 主要配置：

1. 支持样品尺寸：4、8、12 英寸，兼容各种小尺寸样品，支持定制

2. RF等离子体功率范围：300 / 500 / 1000 W 可选；

3. 分子泵：620 / 1300 l/s 可选，可选配防腐蚀型泵组；

4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；

5. 控压：0 ~ 1 Torr 可选；也可选择非控压模式配置；

6. 工艺气体：最多可同时配备 9 路工艺气体；

7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 1000 sccm 范围内可选；

8. 样品控温：10度 ~ 室温 / -30度 ~ 室温 / 可定制温度区间；

9. 背氦冷却可根据应用配置；

10. 可拆卸式防污染内衬；

11. Load-lock可选配；

12. 全自动一键式控制系统；

反应离子刻蚀机台 (RIE) 适用材料：

1. 硅基材料：硅 (Si) ，二氧化硅 (SiO₂) ，氮化硅 (SiN_x) ，碳化硅 (SiC) ……

2. III-V材料：磷化铟 (InP)，砷化镓 (GaAs)，氮化镓 (GaN) ……

3. II-VI材料：碲化镉 (CdTe) ……

4. 磁性材料 / 合金材料

5. 金属材料：铝 (Al) ，金 (Au) ， 钨 (W) ，钛 (Ti) ，钽 (Ta) ……

6. 有机材料：光刻胶 (PR) ，有机聚合物 (PMMA / HDMS) ，有机薄膜 ……

 反应离子刻蚀机台 (RIE) 相关应用：

      1. 硅基材料，纳米压印图形，阵列图形以及透镜图形刻蚀；

      2. 磷化铟 (InP) 常温刻蚀，光通信中的 InP 基器件的图案化刻蚀，包括波导结构，谐振腔结构，脊结构；

      3. SiC材料刻蚀，适用于微波器件，功率器件等；

      4. 物理溅射刻蚀应用于某些金属 ，如镍 (Ni)，铬 (Cr) ，陶瓷等化学方式难刻蚀的材料，通过物理轰击实现对材料的图案化刻蚀；

      5. 有机材料刻蚀应用于光刻胶 (Photo Resist)，PMMA，HDMS，Polymer等有机物刻蚀以及清洁和去除；

      6. 芯片失效分析 (Failure Analysis-FA) 去层刻蚀；

      7. 二维材料刻蚀：W，Mo二维材料，石墨烯；

反应离子刻蚀机台 (RIE) 应用结果：

石英材料台阶刻蚀，台阶高度：300 nm，刻蚀速率：90 nm/min

硅材料微米阵列刻蚀，用于表面亲疏水改性

InP常温刻蚀，激光器应用，脊结构刻蚀，刻蚀速率：200 nm/min

碳化硅台阶刻蚀，刻蚀深度：2 μm，刻蚀速率：220 nm/min

金属陶瓷薄膜材料（Au/Ni/Cr/Al₂O₃）刻蚀，刻蚀深度：500 nm，刻蚀速率：15 nm/min

SiO₂去层刻蚀，带孔结果，芯片失效分析，刻蚀速率：100 nm/min

SiO₂去层刻蚀，不带孔结果，芯片失效分析，刻蚀速率：100 nm/min

SiO₂用于刻胶（PR）,PMMA,HDMS,polymer等有机物刻蚀以及去除

反应离子刻蚀机台 (RIE) 系列型号：

1. SHL 150/200-RIE

2. SHL 200C-RIE

3. SHL FA100/200/300P-RIE

4. SHL FA100/200/300E-RIE

5. SHL 100μ/200μ-RIE

反应离子刻蚀机台(RIE) 设备Layout：