电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP RIE）是一种先进的技术，旨在实现高刻蚀速率、高选择性和低损伤加工。由于等离子体可在低压下维持，因此还能提供出色的轮廓控制。基板直流偏压由独立的射频发生器独立控制，从而能够控制离子能量，根据特定的工艺要求提供卓越的结果。

主要优点

• 独特的宽温度范围电极，从 -150ºC 到 +400ºC，适用于各种材料和设备的工艺解决方案

• 通过高离子密度（>1011 cm3）和高自由基密度实现高蚀刻速率

• 源设计用于实现出色的跨晶圆均匀性

• 通过低离子能量实现选择性和损伤的控制

• 低压处理下具有高密度反应性物质的优异剖面控制

• 通过单独的基板直流偏压控制独立控制离子能量

应用

• 用于 LED 或激光器和功率器件的 GaN 蚀刻

• 具有光滑蚀刻表面的垂直磷化铟（InP）波导

• 非选择性 GaAs/AlGaAs，实现 VCSEL 的光滑侧壁

• 精确的 VCSEL 台面蚀刻，具有出色的蚀刻深度控制

• 用于光电子学的高选择性 GaAs/AlGaAs

• 波导氧化物蚀刻

• 故障分析应用程序，删除：

  • 各向同性聚酰亚胺和各向同性氮化物（钝化），

  • 各向异性氧化物（IMD/ILD）

  • 低K氧化物

  • 铝和铜

  • 背面体硅

• 特征

• 独立的 RF 和 ICP 发生器可分别控制离子能量和离子密度，从而实现高度的工艺灵活性

• 化学和离子诱导蚀刻

• 对于某些低蚀刻速率应用，也可以在 RIE 模式下运行

• 可用于ICP-CVD模式下的沉积

• 高电导泵送端口提供高气体吞吐量，实现最快的蚀刻速率

• 静电屏蔽消除了电容耦合，减少了对设备的电气损坏，减少了室内颗粒

• 标准配置为晶圆夹紧和氦气冷却，提供出色的温度控制，并可选择较宽的温度范围