三和联电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统可提供高密度等离子体解决方案，以满足研究和生产环境的独特工艺要求。我们的紧凑型系统设计可靠耐用，可对多种材料进行精确蚀刻，包括 III-V 族化合物半导体（GaN、GaAs、InP）、硅、SiC、石英、玻璃、电介质和金属。

三和联工艺参数对 ICP电感耦合等离子体蚀刻的影响与优化

1.压板功率：随着压板功率的增大，离子轰击能量增加，有助于提高碳化硅的蚀刻速率和改善物理蚀刻机制。然而，高的压板功率会导致掩模溅射增加，降低 Ni/SiC 的选择性。

2.ICP 线圈功率：增加 ICP 线圈功率会增强化合物的解离以及氟自由基和离子的产生，提高表面化学反应机制，从而提高蚀刻速率。但同时，活性离子含量的增加会导致更高的离子注量轰击衬底，降低直流偏压和离子轰击能量。因此，需要平衡 ICP 线圈功率对等离子体性能和蚀刻速率的影响。

3.工作压力：离子的平均自由程和平均寿命随着压力的增加而下降，导致离子含量降低和直流偏压增加。蚀刻速率随压力的增加而降低的现象可以通过入射离子方向性的降低来解释。通过调整工作压力，可以控制微沟槽蚀刻的深度和侧壁坡度。