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感应耦合等离子体蚀刻的基本原理与特点
分类:行业新闻 发布时间:2025-06-14 作者: 北京三和联 来源:
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三和联公司自主研发的感应耦合等离子体刻蚀机台可实现碳化硅(SiC)的高效精准刻蚀,且对多种材料均可刻蚀,在国内ICP(感应耦合等离子体刻蚀机台)中属于优质设备。

三和联公司自主研发的感应耦合等离子体刻蚀机台可实现碳化硅(SiC)的高效精准刻蚀,且对多种材料均可刻蚀,在国内ICP(感应耦合等离子体刻蚀机台)中属于优质设备。

ICP(感应耦合等离子体刻蚀机台)蚀刻利用高频电磁场在反应室内产生高密度等离子体,通过调整工艺参数(如 ICP 线圈功率、压板功率、工作压力等)来精准控制离子的能量和方向性,从而实现对碳化硅材料的高效蚀刻。与常规平行板反应离子蚀刻相比,ICP 蚀刻具有更高的离子通量和更灵活的工艺参数调整范围。

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北京三和联科技有限公司总部位于首都北京市昌平区仁和路2号院,毗邻中国科学院半导体所,微电子所,清华大学,北京大学等知名研究所及高校,同时也积累了大量这样的高水平客户,产品方案在不断的实践中得到完善和改进。北京三和联一定是您科研之路的好伙伴,好帮手,助力客户成就新的科研成果,不断攀登科技高峰。