【科研前沿】

在天津大学北洋园校区49楼129室的超净实验室中，一台灰色机箱的SHL 100μ-RIE反应离子刻蚀机正在处理二维材料二硫化钼。设备负责人杨帆教授团队通过精确控制CF4/Ar混合气体比例，实现了量子点芯片上纳米级沟槽的刻蚀，深度误差控制在±3nm以内。

【技术亮点】

SHL 100μ-RIE系列产品，是国内首例专用于二维材料刻蚀而研发的刻蚀机台，极限启辉功率可以做到3W，可以实现二维材料低损伤，逐层刻蚀的效果，目前已经刻蚀验证过的二维电子薄膜材料有：WS₂、MoS₂、MoTe₂、WTe₂、石墨烯、BN等，已经覆盖大部分做二维材料研究的高校及研究所课题组，已经入驻的高校研究所客户有：北京大学、清华大学、北京航空航天大学、安徽大学、吉林大学、复旦大学、电子科技大学、天津大学、华南师范大学、南京航空航天大学、南京理工大学等知名高校；中国科学院自动化研究所、中国科学院福建物质结构研究所、中国原子能科学研究院、中国空间技术研究院等***科研院所等（未包含所有客户）。

精密温控：独特的水冷散热系统（5℃~室温±0.5℃）有效解决高功率等离子体导致的材料热变形问题，保障了二维材料器件的结构完整性

全自动工艺：Recipe菜单预置36种工艺配方，包括清华大学合作开发的“低损伤石墨烯刻蚀程序”，大幅提升科研效率

案例实证：2023年该设备支持课题组在《Advanced Materials》发表论文，成功制备出栅长100nm的拓扑绝缘体纳米线阵列，关键刻蚀步骤的均匀性达97%1。