【科研前沿】

在天津大学北洋园校区49楼129室的超净实验室中，一台银色机箱的SHL-100-RIE反应离子刻蚀机正在处理4英寸砷化镓晶圆。设备负责人杨帆教授团队通过精确控制CF4/Ar混合气体比例，实现了量子点芯片上纳米级沟槽的刻蚀，深度误差控制在±3nm以内。

【技术亮点】

多材料兼容：成功应用于硅基材料（Si/SiO2/SiNx）、III-V族化合物（GaAs/InP）、金属（Al/Ti/Ta）及有机光刻胶的图形化处理，尤其满足量子器件对异质结构的加工需求

精密温控：独特的水冷散热系统（5℃~室温±0.5℃）有效解决高功率等离子体导致的材料热变形问题，保障了二维材料器件的结构完整性

全自动工艺：Recipe菜单预置36种工艺配方，包括清华大学合作开发的“低损伤石墨烯刻蚀程序”，大幅提升科研效率

案例实证：2023年该设备支持课题组在《Advanced Materials》发表论文，成功制备出栅长100nm的拓扑绝缘体纳米线阵列，关键刻蚀步骤的均匀性达97%1。