反应离子刻蚀 (RIE) 简介

反应离子刻蚀 (RIE) 是微加工领域的一项关键技术，因其能够在基板上精确蚀刻图案而得到广泛应用。这项技术在半导体行业和其他高科技领域发挥着至关重要的作用，在这些领域，创建复杂精细的微结构至关重要。理解 RIE 需要深入研究其机制、优势和应用。

反应离子刻蚀的工作原理

反应离子刻蚀的核心是一种基于等离子体的刻蚀工艺。它使用具有化学反应性的等离子体去除基板上蚀刻的材料。该工艺首先将基板放置在真空室中，并通入 CF4、SF6 或 CCl4 等气体。这些气体的选择取决于基板的材料和所需的刻蚀特性。

进入真空室后，施加电场使气体电离，从而产生等离子体。等离子体由自由电子和离子组成，它们在施加的偏压作用下加速向基板运动。这些离子以高能量撞击基板表面，导致材料通过物理溅射和化学反应被去除。这些效应的结合使得即使在微尺度上也能进行精确蚀刻。

"SHL"国产品牌反应离子蚀刻 (DRIE)机台技术参数

1. 支持样品尺寸：4、8、12 英寸，兼容各种小尺寸样品，支持定制

2. RF等离子体功率范围：300 / 500 / 1000 W 可选；

3. 分子泵：620 / 1300 l/s 可选，可选配防腐蚀型泵组；

4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；

5. 控压：0 ~ 1 Torr 可选；也可选择非控压模式配置；

6. 工艺气体：最多可同时配备 9 路工艺气体；

7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 1000 sccm 范围内可选；

8. 样品控温：10度 ~ 室温 / -30度 ~ 室温 / 可定制温度区间；

9. 背氦冷却可根据应用配置；

10. 可拆卸式防污染内衬；

11. Load-lock可选配；

12. 全自动一键式控制系统；