设备的“血液”——RIE工艺气体

北京三和联科技有限公司反应离子刻蚀（RIE）设备支持H2、CH4、O2、N2、Ar、F6、CF4、CHF3、C4F8、NF3、Cl2、BCl3、HBr 9种工艺气体，可以根据客户的实际需求做定制化设计。

工艺气体的选择是RIE工艺成功的关键，直接影响刻蚀速率、选择性、各向异性和表面形貌。不同的刻蚀材料需要不同的气体组合：
硅（Si）及硅化物： 最常用的是含氟气体，如四氟化碳（CF4）、六氟化硫（SF6），它们在高能等离子体下分解产生高活性的氟自由基（F*）。有时会加入氧气（O2）来调节刻蚀速率和选择性（抑制对光刻胶的刻蚀），或加入氩气（Ar）增强物理轰击成分，改善各向异性。硅的典型刻蚀速率可达每分钟400埃（Å/min）。

金属（如Al, Ti, W）

常使用含氯气体，如氯气（Cl2）、三氯化硼（BCl3）。BCl3还能帮助去除金属表面的氧化层。四氯化碳（CCl4） 也时有应用。

介质（如SiO2, Si3N4）

通常使用含氟气体（如CF4、SF6、CHF3）。CHF3有助于在侧壁形成聚合物钝化层，提高各向异性和选择性。

光刻胶去除/灰化（Ashing）

主要使用氧气（O2）。

气体通过“淋浴头”式的精密分配系统均匀地引入反应腔体，确保刻蚀的均匀性。