北京三和联科技有限公司自主研发的反应离子刻蚀机（RIE）系列产品，依托成熟的平板式容性耦合等离子体核心技术打造，是国内高性能、高适配性的国产化刻蚀设备，可满足多品类材料的精准图案化蚀刻需求，综合工艺性能优异，为半导体微纳加工领域优质国产化设备。

反应离子刻蚀（RIE）是半导体制造、微纳结构制备的核心干法刻蚀工艺。设备在真空环境下激发形成等离子体，利用等离子体中的各类活性粒子与材料表面发生可控化学反应，生成易挥发的产物并快速脱离材料表面，最终实现各向异性高精度微结构刻蚀，具备刻蚀精度高、结构垂直度好、工艺稳定性强的核心优势。

本司RIE刻蚀机适配材料范围极广，覆盖半导体、光学、新材料等多领域主流基材，可实现多元化蚀刻工艺：一是硅基类材料，包含单晶硅、多晶硅、氮化硅（SiNx）、氧化硅（SiO₂）、石英、碳化硅（SiC）的精准图案化蚀刻；二是有机类材料，可完成光刻胶（PR）、PMMA、HDMS、高分子聚合物的图案化加工与表层去除；三是金属与陶瓷类材料，针对镍（Ni）、铬（Cr）等化学难蚀刻材质，可通过物理轰击方式实现高效图案化刻蚀；四是特殊半导体材料，支持常温磷化铟（InP）材料的精细化蚀刻，同时公司自主研发的ICP设备支持高温磷化铟（InP）材料的精细化蚀刻。针对超高精度、高难度定制化刻蚀工艺需求，我司可提供ICPRIE刻蚀设备作为高端工艺解决方案。

核心应用场景

依托强大的材料适配能力与稳定的刻蚀性能，本司RIE刻蚀机广泛应用于半导体制造、光通信、功率器件、新材料研发、芯片检测等多个高端领域，具体应用场景如下：

1.       硅基材料微纳加工：可高效完成硅基基材的纳米压印图形、阵列图形、微透镜图形等各类精密微结构刻蚀，适配各类硅基微电子器件研发与量产。

2.       磷化铟光通信器件加工：支持常温InP材料刻蚀，可精准完成光通信核心InP基器件的图案化加工，适配波导结构、谐振腔结构、脊型结构等关键功能结构的制备。

3.       碳化硅功率器件刻蚀：适配SiC材料高精度刻蚀工艺，广泛应用于微波射频器件、大功率半导体功率器件的生产制备，助力宽禁带半导体器件产业化。

4.       硬质材料物理溅射刻蚀：针对镍、铬、陶瓷等常规化学刻蚀难以加工的材质，通过等离子体物理轰击原理，实现稳定、可控的图案化刻蚀，弥补传统湿法、化学刻蚀的工艺短板。

5.       有机材料蚀刻与清洁：可完成光刻胶、PMMA、HDMS、高分子聚合物等有机材料的图案化刻蚀，同时适用于器件表面有机残留层的去除与精密清洁工艺。

6.       芯片失效分析（FA）：可精准完成芯片多层结构的去层刻蚀，满足芯片失效检测、故障分析、结构溯源等科研与检测场景需求。

7.       二维材料精密加工：适配钨（W）、钼（Mo）、石墨烯等新型二维材料的精细化刻蚀，满足新一代微纳电子、柔性器件、光电材料的研发与制备需求。

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