北京三和联自主研制的国产离子束刻蚀 (IBE) 系列产品，采用射频离子源技术，工艺稳定性与重复性非常好，适用于失效分析，金属刻蚀、此材料刻蚀等相关应用。

离子束刻蚀机台 (IBE) 主要配置：

• 支持样品尺寸：4 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品；

• 离子源：离子能量 (50 ~ 1500) ± 2 V，离子通量 (100 ~ 1500) ± 2 mA，束流准直性 < ± 5°，束流不均匀性 < ± 2 %，500 h工艺稳定时间；

• 分子泵：高抽速分子泵；

• 前级泵：干泵；

• 工艺压力：0.01 ~ 10 Pa；
  

• 离子源可配置气体：Ar，O2，N2，He，H2，辅助性气体可配置：O2，CF4，CHF3，SF6，N2；
  

• 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 500 sccm 范围内可选；
  

• 样品控温：-30 ℃ ~ 室温；
  

• 样品台：0 ~ 50 rpm 旋转 / 0 ~ 90° 倾斜 / 低温，三维度功能共存；
  

• 刻蚀速度：1 ~ 100 nm/min；
  

• 刻蚀均匀性：± 5 %（@四英寸去除边缘效应）；
  

• 全自动一键式控制系统；
  

• 刻蚀材料：全材料；

离子束刻蚀机台 (IBE) 相关应用：

• 芯片失效分析 (FA) 铜线去除；

• 磁学应用；

• 物理刻蚀图形去层；

• 生物样片减薄；

离子束刻蚀机台 (IBE) 应用结果：

铜 (Cu) 刻蚀，芯片失效分析 (FA) 应用，刻蚀深度：2.9 μm，刻蚀速率：97 nm/min，SiO₂刻蚀速率：88 nm/min

55nm  chip芯片刻蚀  M7层  左侧未处理  右侧处理 

55nm  chip芯片刻蚀    左侧M3未处理  右侧M2处理 

55nm  chip芯片刻蚀 左侧M6未处理  右侧M2处理

离子束刻蚀机台(IBE) 设备失效分析应用：

离子束刻蚀在芯片失效分析方向的应用主要是用于芯片故障分析和故障定位。当芯片出现故障时，需要对芯片进行分析和定位，以找出故障原因并进行修复。离子束刻蚀可以通过刻蚀芯片表面来观察芯片内部结构和元器件的状态，从而帮助分析和定位芯片故障。具体应用包括：

1. 刻蚀芯片表面：离子束刻蚀可以通过刻蚀芯片表面来观察芯片内部结构和元器件的状态，从而帮助分析和定位芯片故障。

2. 制作断面样品：离子束刻蚀可以制作出芯片的断面样品，从而可以观察芯片内部结构和元器件的状态，帮助分析和定位芯片故障。

3. 制作透射电子显微镜（TEM）样品：离子束刻蚀可以制作出透射电子显微镜（TEM）样品，从而可以观察芯片内部结构和元器件的状态，帮助分析和定位芯片故障。

4. 制作扫描电子显微镜（SEM）样品：离子束刻蚀可以制作出扫描电子显微镜（SEM）样品，从而可以观察芯片内部结构和元器件的状态，帮助分析和定位芯片故障。

总之，离子束刻蚀在芯片失效分析方向的应用非常广泛，可以帮助分析和定位芯片故障，从而提高芯片的可靠性和稳定性。

北京三和联自主研制的离子束刻蚀 (IBE) 系列产品

离子束刻蚀是一种高精度、高效率的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光电子、微机电系统（MEMS）、纳米技术等领域，是带能粒子溅射刻蚀。IBE通过调控离子束能量与通量，实现对材料的调控去除。该技术几乎可以实现对全材料的刻蚀，通过对工艺参数的调节，可以实现对多种材料等速同时去除；此外，加入特定的工艺气体，可以实现对材料的离子辅助反应刻蚀。

北京三和联三和联自主研制的国产离子束刻蚀 (IBE) 系列产品，采用射频离子源技术，具有极好的工艺稳定性与工艺重复性，适用于失效分析，金属刻蚀、此材料刻蚀等相关应用。

离子束刻蚀机台(IBE) 系列型号：

1. SHL FA100S-IBE

2. SHL 100S-IBE

离子束刻蚀机台(IBE) 设备Layout：

IBE 机台 Layout