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感应耦合等离子体刻蚀机台 (ICP)

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作为国产感应耦合等离子体刻蚀机台制造商，北京三和联一直坚持自主研发，基于感应耦合等离子体技术，面向精细化蚀刻以及化合物半导体蚀刻需求。
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感应耦合反应离子刻蚀技术是RIE的一种；该技术通过独立控制离子通量，实现对等离子体离子密度与离子能量的解耦，提高刻蚀工艺的控制精度与灵活性。

      三和联自主研制的高密度感应耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)系列产品，基于感应耦合等离子体技术，面向精细化蚀刻以及化合物半导体蚀刻需求。具有极好的工艺稳定性与工艺重复性，适用于硅半导体，光电子，信息与通讯，功率器件以及微波器件等方面的应用。


感应耦合等离子体刻蚀机台 (ICP) 主要配置：

1. 支持样品尺寸：4/6/8/12 英寸向下兼容，兼容各种小尺寸样品，支持定制；

2. RF等离子体功率范围：

上电极：1000 / 2000 / 3000 / 5000 W 可选；

下电极：300 / 500 / 1000 W 可选；

3. 分子泵：620 / 1300 l/s 可选，可选配防腐蚀型泵组；

4. 前级泵：机械油泵 / 干泵可选；

5. 控压：0 ~ 0.1 / 0 ~ 1 / 0 ~ 10 Torr 可选；

6. 工艺气体：最多可同时配备 12 路工艺气体；

7. 气体量程：根据用户应用需求配合系统设计确定，0 ~ 500 sccm 范围内可选；

8. 样品控温：-30 ℃ / 10 ℃ ~ 室温 / 200 ℃，可定制温度区间；

9. 背氦冷却可根据应用配置；

10. 可拆卸式防污染内衬；

11. Load-lock可选配；

12. 全自动一键式控制系统；

感应耦合等离子体刻蚀机台.jpg

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