电感耦合等离子体 (ICP)的优点和应用

电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统

北京三和联的国产电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统提供高密度等离子体解决方案，可满足研究和生产环境的独特工艺要求。我们的紧凑型系统设计可靠耐用，可对多种材料进行精确蚀刻，包括 III-V 族化合物半导体（GaN、GaAs、InP）、硅、SiC、石英、玻璃、电介质和金属。作为国内电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻设备厂商，三和联一直坚持自主研发，为半导体设备国产化努力。

电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻的主要特点和优势

• 高蚀刻速率

• 出色的均匀性

• 出色的衬底偏压和离子能量控制

• 通过 ESC 精确控制晶圆温度，范围为 -10C 至 +200C

• 广泛的流程库

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电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统的应用

北京三和联的电感耦合等离子 (ICP) 蚀刻系统为推动未来的尖端技术提供先进的等离子蚀刻解决方案，包括：

用于高效显示和照明的 MicroLED

用于光通信和传感的激光二极管

用于节能功率转换的 SiC 功率器件

用于高频无线通信的GaN RF器件

用于精确频率控制的 SAW/BAW 滤波器

用于微型电子产品的电容器和 MEMS 设备

这些器件的精密制造依赖于高精度干法等离子刻蚀工艺，尤其适用于化合物半导体材料。北京三和联国产电感耦合等离子 (ICP) 蚀刻系统配备可实现比传统电容耦合等离子体反应离子刻蚀 (CCP-RIE) 系统高出多倍的等离子体密度。这项创新技术确保了卓越的等离子体均匀性，从而能够对化合物半导体、硅和金属薄膜进行高速、高深宽比的刻蚀。