北京三和联科技有限公司自主研发的国产ICP感应耦合等离子体刻蚀机台，经过长期工艺验证和客户现场实际应用，积累了大量有效工艺参数和经验，不仅能够实现碳化硅（SiC）的高效精准刻蚀，其他硅基材料，Ⅲ-Ⅴ材料，Ⅱ-Ⅵ材料，磁性材料，金属材料，有机材料均可刻蚀，并可实现硅深刻蚀。尽管 ICP 蚀刻具有诸多优点，但在碳化硅加工过程中仍面临沟槽效应等挑战。

ICP（感应耦合等离子体刻蚀机台）蚀刻中的沟槽效应与挑战

沟槽效应是由于离子反射和电荷效应导致的衬底表面不均匀蚀刻现象，可能对器件的制造和可靠性造成潜在危害。研究表明，添加氧气气体时会增强沟槽效应，因为会形成钝化层 SiFxOy。

对于ICP（感应耦合等离子体刻蚀机台）蚀刻中的沟槽效应带来的挑战我们采取优化工艺参数实现高效蚀刻的措施

采用低的压板功率来减少镍的溅射量，同时使用高的 ICP 线圈功率和低压力（8mTor）来确保高蚀刻速率和避免微沟槽效应。通过这种方法，获得了 940nm/min 的蚀刻速率，Ni/SiC 的选择比在 60 左右，轮廓角为 83°左右。

北京三和联科技有限公司创国产ICP（感应耦合等离子体刻蚀机台）品牌，为国内感应耦合等离子体刻蚀机台蚀刻助力！